品牌：engis型号：

可用于2寸3寸4寸InP　GaAs　GaN

所属系列：半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机

操作界面人性化，人机交流非常简易

使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄

可以精确控制Wafer目标厚度，将Wafer减薄至接近目标厚度时，借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨，可以双头、单片、多片加工，适合研发、量产，可兼容多尺寸Wafer

设备的设计理念及特征

搭载开槽装置的 精密研磨设备EJW-400IFN　是采用高刚性机体和独自开发的水冷式主

轴，经常保持一定的定盘温度，并且可以在 震动状态下高精度旋转。另外，由于采用

高精度的开槽装置，设备可以经常维持稳定高精度的定盘平坦度进行加工。

主要规格：

1-1研磨设备

设备型号EJW-400IFN

研磨盘直径外径φ380mm；内径φ140mm

定盘转速10~350rpm　可调（软起动/停机）

主电机200V　1.5Kw　3相

加压方式自重加压

工件固定方式通过使用陶瓷修正轮用滚轴手臂固定

主轴部分高刚性水冷主轴

尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防尘盖高度

重量1000Kg（NET）