真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管
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产品详情
“真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管”参数说明
是否有现货: | 是 | 品牌: | 同兴 |
功率特性: | 小功率 | 频率特性: | 低频 |
材料: | 半导体硅 | 安装方式: | 螺丝型 |
型号: | Hvd3030 | 规格: | 260*35*25mm |
商标: | 同兴 | 包装: | 纸箱 防震隔板 出库单 |
专利号: | - | 封装: | 环氧树脂真空封装 |
内部结构: | 台面型 | 正向整流: | 3A |
反向耐压: | 30kv | 行业应用: | 高周波丨高频机丨真空镀膜 |
抗浪涌电流: | 200A | 产量: | 3000 |
“真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管”详细介绍
真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管硅堆厂家直销
HVD3030高压整流半桥硅堆参数
品牌:同兴
产品型号:HVD3030丨2X2CL30KV/3A
反向耐压:30KV*2
正向整流:3A
抗浪涌电流:200A
内部材料:硅(Si)
内部结构:面接触型
连接方式:螺丝型
频率特性:低频/工频
保护特性:雪崩击穿保护
封装形式:环氧树脂真空封装
工作温度:-40~175℃(155℃为连续工作上限温度)
外形尺寸:260*35*25 及其他尺寸
常规领域:真空镀膜电源/高周波/高频机/包装机械高压硅堆等
高压二极管丨高压硅堆丨高压整流半桥价格优惠
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产品特点:
生产工艺
的测试老化试验
正向浪涌承受能力强
反向雪崩击穿特性
反向耐压高
反向漏电流低
高温焊接保证
内部芯片加强保护
优异的机械性能绝缘性能
高压整流隔离保护功能
及耐腐蚀耐潮湿能力
适应恶劣工作环境
采用热管散热原理高效率散热
工作温度:-40~175℃
储藏温度:-40~175℃
真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管
<同兴>鞍山高压硅堆/高压二极管/高压整流桥常规产品系列:
高压二极管CL5KV~20KV/200mA~750mA
高压二极管硅堆HVP- 6KV~20KV/0.5A~2A
高压硅堆 2CL丨2DL1KV~500KV/50mA~200A
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高压整流半桥 HV丨HQL丨2X2CL丨HQGL5KV~400KV/20mA~150A
高压整流全桥 QL丨QGL4KV~300KV/100mA~60A
三相高压整流桥 3QL3KV~200KV/100mA~90A
高频三相高压整流桥 3QGL3KV~180KV/100mA~80A
真空镀膜高压硅堆HVD3030丨30KV整流二极管
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